有界变量线性规划的基线算法

本文对有界变量线性规划的算法进行了研究，得到了一种解此问题的新算法。文中根据基线算法的算法原理，通过对BL表的旋转，在各变量满足界约束的条件下，使目标函数值不断增大，直至得到有界硬上界，从而得到问题的最优解。文中给出了有界变量线性规划基线算法的计算步骤，并给出了一个例子。与单纯形法相比，采用基线算法解有界变量线性规划操作更简单。迭代次数少，解题速度更快。     

改进型磁绝缘线振荡器的设计和数值模拟

 综合两种现有磁绝缘线振荡器的优点，对器件进行改进，将双渐变结构、轭流片和阻抗渐变三种增大功率的机制综合考虑，利用二维半全电磁PIC程序进行数值模拟，设计了一种新的改进型磁绝缘线振荡器，当外加电压为550kV，电流为35kA左右时，在L波段获得了6GW的峰值输出功率。     

平行机半在线排序问题研究(Ⅰ)

对半在线平行机排序问题的研究进展作了详细综述和进一步探讨。文章给出半在线排序问题的背景、定义、分类和求解。介绍它们定义和在不同机器环境和目标函数下半在线排序问题分类，以及第一类半在线模型的近似算法的设计及其竞争比分析。     

一个线性约束优化问题的广义梯度投影法

本文对线性约束优化问题提出了一个新的广义梯度投影法，该算法采用了非精确线性搜索，并在每次迭代运算中结合了广义投影矩阵和变尺度方法的思想确定其搜索方向．在通常的假设条件下，证明了该算法的整体收敛性和超线性收敛速度．     

A rigid subspace of the real line whose square is a homogeneous subspace of the plane

Working in ZFC, we give an example as indicated in the title.

     

Hamiltonian N2‐locally connected claw‐free graphs

A graph G is N₂‐locally connected if for every vertex ν in G, the edges not incident with ν but having at least one end adjacent to ν in G induce a connected graph. In 1990, Ryjá?ek conjectured that every 3‐connected N₂‐locally connected claw‐free graph is Hamiltonian. This conjecture is proved in this note. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. J Graph Theory 48: 142–146, 2005     

光突发交换的交换控制策略和光缓存配置

光突发交换是面向下一代互联网的光交换模式.讨论了异步光突发交换系统的交换控制策略以及相应光缓存的优化配置策略.除了传统预约模式的交换策略,还研究了非预约和改进型预约模式,它们的性能评估由计算机仿真给出.结果表明:在条件相当情况下,改进型预约模式具有最低的丢包率.同时光缓存的配置对上述几类交换控制策略的性能都有很大影响,仿真结果指出:光缓存的粒度对系统性能具有重要影响,所讨论的几类交换模式都存在最佳时延粒度,研究结果对光交换矩阵的设计有指导意义.     

二维椭圆型方程反问题中优化算法的比较

近年来，决定椭圆型方程系数反问题在地磁、地球物理、冶金和生物等实际问题上有着广泛的应用．本文讨论了二维的决定椭圆型方程系数反问题的数值求解方法．由误差平方和最小原则，这个反问题可化为一个变分问题，并进一步离散化为一个最优化问题，其目标函数依赖于要决定的方程系数．本文着重考察非线性共轭梯度法在此最优化问题数值计算中的表现，并与拟牛顿法作为对比．为了提高算法的效率我们适当选择加快收敛速度的预处理矩阵．同时还考察了线搜索方法的不同对优化算法的影响．数值实验的结果表明，非线性共轭梯度法在这类大规模优化问题中相对于拟牛顿法更有效．     

A Semiconductor Laser of the Visible Range as an Exciting Source of Raman Scattering

A possibility of application of semiconductor lasers of the visible range as exciting sources for Raman spectroscopy is studied. An experimental set-up for measuring Raman spectra of polycrystalline dielectrics and broad-gap semiconductors excited by a semiconductor laser with a wavelength of 640 nm was created. The conditions under which the spectral width of the lasing line of a semiconductor laser was within 10^-3 cm^-1 in the continuous mode with a power of 10 mW are realized. The characteristics of various types of exciting sources used in Raman spectroscopy are compared. The results of studies of the characteristic Raman spectra excited with a semiconductor laser in polycrystalline sulfur are presented.